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本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程。选用合适的电阻率和厚度的N 型直拉硅单晶片，采用磷硼纸源扩散，精确控制基区宽度形成P+NN+结构；采用铂液态源扩散降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间trr；化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压；玻璃钝化保护PN 结减小表面污染从而降低表面漏电流提高耐压；双面镀镍金进行金属化等技术。得到较为理想的反向击穿电压VBR，正向压降VF，反向恢复时间trr 三参数之间的折衷。器件性能优良，可靠性高，样品通过150°C/ 168 小时的高温反偏实验。，大小：3.76 MB
本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程。选用合适的电阻率和厚度的N 型直拉硅单晶片，采用磷硼纸源扩散，精确控制基区宽度形成P+NN+结构；采用铂液态源扩散降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间trr；化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压；玻璃钝化保护PN 结减小表面污染从而降低表面漏电流提高耐压；双面镀镍金进行金属化等技术。得到较为理想的反向击穿电压VBR，正向压降VF，反向恢复时间trr 三参数之间的折衷。器件性能优良，可靠性高，样品通过150°C/ 168 小时的高温反偏实验。，大小：3.76 MB