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GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯、移动电话背光、汽车尾灯、短距离通信、光电计算机互联等。但是由于非辐射缺陷的作用，使得 GaN 基发光二极管的内量子效率在室温时，远远小于 100% 。此外，导致 GaN 基发光二极管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。根据报道， GaN 和空气的反射系数分别是 2.5 和 1 。因此在 InGaN-GaN 活性区产生的光能够传播出去的临界角约为 23° 。这大大限制了 GaN 基发光二极管的外量子效率 [1] 。很多人在提高 GaN 基发光二极管的出光效率方面都做了很多工作，方法也比较多。下面主要介绍一下利用表面粗化的办法来提高器件的出光效率。，大小：1.84 MB
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