1.特性
1.适用于生产多层板的内层和印刷－蚀刻板。所采用的抗蚀剂是网印抗蚀印料、干膜、液体光致抗蚀剂等；也适用于图形电镀金抗蚀层印制板的蚀刻，但不适于锡－铅合金和锡抗蚀剂。
2.蚀刻速率容易控制，蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量。
3.溶铜量大
4.蚀刻液容易再生与回收，减少污染。
2. 蚀刻过程的主要化学反应
在蚀刻过程中，氯化铜中的Cu2+具有氧化性，能将板面上的铜氧化成Cu1+，其反应如下：蚀刻反应：Cu＋CuCl2→Cu2Cl2形成的Cu2Cl2是不易溶于水的，在有过量Cl-存在下，能形成可溶性的络离子，其反应如下：络合反应：Cu2Cl2＋4Cl-→2[CuCl3]2-随着铜的蚀刻，溶液中的Cu1+越来越多，蚀刻能力很快就会下降，以至最后失去效能。为了保持蚀刻能力，可以通过各种方式对蚀刻液进行再生，使Cu1+重新转变成Cu2+，继续进行正常蚀刻。
应用酸性蚀刻液进行蚀刻的典型工艺流程如下：
印制正相图
象的印制板 → 检查修版 → 碱性清洗
(可选择) → 水洗 → 表面微蚀刻 ┌再生
(可选择) → 水洗 → 检查 → 酸性蚀刻 → 水洗 → 酸性清洗(例如5－10％HCl) → 水洗 → 吹干 → 检查 → 去膜 →水洗 → 吹干
3. 蚀刻液配方
蚀刻液配方有多种，1979年版的印制电路手册(Printed Circuits Handbook)中介绍的配方见表10－2。
表10－2 国外介绍的酸性蚀刻液配方
注：1磅＝454克 1加仑(美制)＝3.785升
我国采用的蚀刻液配方也有多种，现摘录如下表10－3
表10－3 我国采用的酸性蚀刻液配方
饱和蚀刻液中所采用的氯化物种类不同。对蚀刻速率有很大影响，见图10-5中的曲线。
图10-5在350C,各种氯化铜深液中铜的添加量与蚀刻时间的关系曲线
1，1.00MCUCL2饱和NACL深液
2，2.00MCHCL2在6.0NHCL溶液里
3，3.00MCUCL2饱和NACL溶液
4，2.00MCUCL2饿和NACL溶液
5，1.7MCUCL2饱和NH4CL溶液
从图中可以看出，在一个较宽的溶铜范围内，含NH4CL的溶液蚀刻速度较快，这对于生产是有利的，但是，随着温度的降低，溶液中会有一些铜铵氯化物结晶深(CUCL2.2H4CL)沉锭。而含NACL的溶液蚀刻速率接近含HCL溶液的蚀刻速率，因此，通常在蚀刻中多选用HCL和NACL两种氯化物。
4.影响蚀刻速率的因素
影响蚀刻速率的因素很多，影响较大的是溶液中Cl-，Cu1+的含量，溶液的温度及Cu2+的浓度等。
Cl-含量的影响
在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上都是以络离子的形式存在。铜离子由于具有不完全的d-轨道电子壳，所以它是一个很好的络合物形成体。一般情况下，可形成四个配位键。当溶液中含有较多的Cl-时，Cu2+是以[Cu2+Cl4]2-络离子存在，Cu1+是以[Cu1+Cl3]2-络离子存在。因此，蚀刻液的配制和再生都需要Cl-参加反应。从(图10-6)关系曲线吕可以看出，溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系。
图10-6在250C，氯化铜浓度对蚀刻时间的关系曲线
从图中可以看出，当盐酸浓度升高时，蚀刻时间减少。
在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的13，并且能够提高溶铜量。但是，盐酸浓度不可超过6N。高于6N酸的挥发量大且对设备腐蚀，并且随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。
添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是：在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时，生成的Cu2Cl2不易溶于水，则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜，这种膜能阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子[CuCl3]2-，从铜表面上溶解下来，从而提高了蚀刻速率。
Cu1+含量的影响
根据蚀刻反应，随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu1+，例如4glCu1+含在120glCu2+的溶液中就会显著地降低蚀刻速率。所以，在蚀刻操作中要保持Cu1+的含量在一个低的范围内。例如低于2gl。并要尽可能快地使其重新氧化成Cu2+。
在生产实践中如何控制溶液中的Cu1+浓度？
根据奈恩斯特方程：E=E0＋(0.059n)lg([Cu2+][Cu1+]) 式中：
E是指定浓度下的电极电位
E0是标准电极电位
n是得失电子数
[Cu2+]是二价铜离子浓度
[Cu1+]是一价铜离子浓度
从以上方程可以看出，氧化-还原电位E与（CU2+CU1+）比值有关。
从图10-7表蝗溶液中CU1+浓度与氧化-还原电位之间的相互关系。
图10-7溶渡假中CU1+浓度与氧化-还原电位之间的关系
从图中可以看出，随着溶液中CU1+浓度的不断升高，氧化-还原电位不断下降，当氧化-还原电位在530MVJF时，CU1+浓度低于0.4G1.能提供最理想的，高的和几乎恒定的蚀刻速率（见图10-8）。所以，一般在操作中都以控制溶液的氧化-还原电位来控制溶液中CU1+的浓度。一般氧化-还原电位多控制在510-550MV左右。
图10-8溶液氧化-还原电位与蚀刻速率的关系 。
Cu2+含量的影响
溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定影响。一般情况下，溶液中Cu2+浓度低于2克离子时，蚀刻速率较低；在2克离子时速率较高。随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时，蚀刻速率就会下降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率，必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。随着溶液中铜含量的不断增加，溶液的比重也随之增加。在实际生产中是采用控制溶液比重的方法来控制溶液的含铜量。在生产中比重一般控制在1.280～1.295之间(31-330Be’),此时的含铜量大约是120～150gl之间。
温度对蚀刻速率的影响 随着温度的升高，蚀刻速率加快。见图（10-9），但是，温度也不宜过高，一般控制在40～55℃范围内。温度太高会引起HCl过多地挥发，造成溶液组份比例失调。另外，如果蚀刻液温度过高，某些抗蚀层会被损坏。
5.蚀刻液的再生
再生的原理主要是利用氧化剂将溶液中的Cu1+氧化成Cu2+。再生方法一般有以下几种。
通氧气或压缩空气再生
主要的再生反应为：2Cu2Cl2＋4HCl＋O2→4CuCl2＋2H2O
此方法再生反应速率很低。
氯气再生
主要的再生反应为：Cu2Cl2＋Cl2→2CuCl2
由于氯气是强氧化剂，直接通氯气是再生的最好方法。因为它的成本低，再生速率快。但是，很难做到使氯气全部都参加反应，如有氯气溢出，会污染环境。故该法要求蚀刻设备密封。
电解再生
主要的再生反应为：
在直流电的作用下，
在阳极Cu1+→Cu2+＋e
在阴极Cu1+＋e→Cu0
这种方法的优点是可以直接回收多余的铜，同时又使Cu1+氧化成Cu2+，使蚀刻液再生。但是，此方法要求有电解再生的设备投资和较高的电能消耗。
，酸性氯化铜蚀刻液