电子文章 | 电子资料下载 | 家电维修 | 维修资料下载 | 加入收藏 | 全站地图
您现在所在位置:电子爱好者维修技术家电维修元器件检测测量CMOS场效应管时的注意事项

测量CMOS场效应管时的注意事项

09-08 00:15:59 | http://www.5idzw.com | 元器件检测 | 人气:794
标签:元器件,http://www.5idzw.com 测量CMOS场效应管时的注意事项,http://www.5idzw.com
    N沟道场效应管,在制造时会产生一个寄生二极管,源极为正,漏极为负。测量时先将三脚用表笔短路一下,量到有二极管特性的两极正极是源极,负极是漏极,第三极即为栅极,将栅极接正,源极接负,再正接漏极负接源极,管子应导通。再将三脚短路,复量源栅极应不通,不要一量源漏导通了就认为管子坏了。另外在路量管时,一定要放电容余电,不然给栅极一个导通电压,管子就报销了。因源栅极间电阻可达十的十次方数量级,形成一个源栅电容,很小、有点电荷就产生较高的电压,且不会马上消失,此时管子D-S间只要有电压就会饱和导通,管子必坏无疑。,测量CMOS场效应管时的注意事项
关于《测量CMOS场效应管时的注意事项》的更多文章