光刻技术及其应用的状况和未来发展

3.2 经济性比较

相比较于技术性，经济性的比较尽管包含了系统本身的成本、系统的运行成本、掩模版制造成本、光刻胶的制造及消耗成本、配套检测和工艺监控设备的投入成本等，但我们可以量化它，固定制约的因素，就像2005年ITRS修订后对光刻成本的预测一样，如图6所示，只要确定了技术路径和标准，经济性的比较非常清楚。

4 未来光刻技术的发展

随着电子产业的技术进步和发展，光刻技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，如上所述，它几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此，未来光刻技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同，但就占有率最大的半导体和微电子产品领域而言，实现其纳米水平产业化的光刻技术将分成两个阶段，即90～32 nm阶段将仍然由深紫外和极紫外光刻结合一些新的技术手段去完成，同时纳米压印和扫描探针光刻技术在45 nm技术节点将会介入进行过渡；32 nm以下的规模生产光刻技术将在纳米压印和扫描探针光刻技术之间选择。正如一位专家2005年预测，为实现32 nm节点以下的纳米成像技术的规模化生产，在接下来的5年内，纳米成像技术的发展将会加快，平均每年增长44.6％，其中发展最快的将会是纳米压印光刻和扫描探针光刻技术，到2013年，32 nm的大生产技术节点将得以实现，如图1所示。另外，FPD产业作为光刻技术应用的另外一个分支，在未来的占有率将会上升，除了已经形成的对光刻技术需求的共识外(大面积、低分辨率和1：1折反射投影式等)，一些新的技术也在开发中，如电子束光刻技术和激光直写光刻技术等。总之，未来光刻技术的发展将会更快，技术上将会更加集中，一些没有市场前景和应用的技术将会淘汰。

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