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μPD3575D CCD图像传感器的原理及应用

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标签:传感技术知识,传感器与检测技术,http://www.5idzw.com μPD3575D CCD图像传感器的原理及应用,http://www.5idzw.com
摘要:μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。文章介绍了μPD3575D的主要特点、结构原理、引脚功能、光学/电子特性、驱动时序以及驱动电路。

    关键词:μPD3575D CCD 驱动脉冲 图像传感器

1 概述

μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。该传感器可用于传真、图像扫描和OCR。它内部包含一列1024像元的光敏二极管和两列525位CCD电荷转移寄存器。该器件可工作在5V驱动(脉冲)和12V电源条件下。

μPD3575D的主要特性如下:

*像敏单元数目:1024像元;

*像敏单元大小:14μm×14μm×14μm(相邻像元中心距为14μm);

*光敏区域:采用高灵敏度和低暗电流PN结作为光敏单元;

*时钟:二相(5V);

*内部电路:采样保持电路,输出放大电路;

*封装形式:20脚DIP封装。

2 内部原理和引脚功能

μPD3575D的封装形式为20脚DIP封装,其引脚排列如图1所示,引脚功能如表1所列。图2为μPD3575D的内部结构原理图,中间一排是由多个光敏二极管构成的光敏阵列,有效单元为1024位,它们的作用是接收照射到CCD硅片的光,并将之转化成电荷信号,光敏阵列的两侧为转移栅和模拟寄存器。在传输门时钟φTG的作用下,像元的光电信号分别转移到两侧的CCD转移栅。然后CCD的MOS电容中的电荷信号在φIO的作用下串行从输出端口输出。上述驱动脉冲由专门的驱动电路产生。

表1 μPD3575D的引脚功能

引脚名 功    能
IO 时钟
TG 转移时钟
RO 复位时钟
SHO 采样保持时钟
G1 测试端
G2 测试端
ID 测试端
OV 测试端
VOUT 信号输出
RD 复位漏极电压
OD 输出漏极电压
VGC 电源电压
GND
NC 未连接

3 光电特性参数

μPD3575D的光学/电子特性参数如表2所列。表中的工作条件为:温度在25℃左右,工作电压VOD=VRD=VGC=12V,频率fSHO为0.5MHz,tint(积分时间)=10ms,光源为2856K的钨丝灯。

表2 光/电子特性参数

特    性 符  号 最小值 典型值 最大值 单  位 注    释
饱和输出电压 VOUT 1.5 2.3 - V  
饱和曝光量 SE - 0.45 - Ix·s 白色荧光灯
光响应非均匀性 PRNU - 5 10 % VOUT=500mV白色荧光灯
平均暗信号 ADS - 0.5 10 mV 遮光
光响应不均匀性 DSNU - 0.5 10 mV 遮光
功耗 PN - 100 - mW  
输出阻抗 Zo 0.5 1 8 Ω  
响应度 R 9.8 14 18.2 V/Ix·s 钨丝灯
R 3.5 5 6.5 V/Ix·s 白色荧光灯
峰值响应波长   - 550 - nm  
输出偏移电压 Vos - 7.0 - V  
转移栅输入电容 CφIO - 5 10 pF  
复位端输入电容 CφRO - 5 10 pF  
采样保护端输入电容 CφSHO - 5 10 pF  
传输门输入电容 CφTG - 5 10 pF  
反馈通过电压 VR - 100 200 mV  
输出上升延迟时间 t3 - 50 100 ns  
输出上升时间 t2 - 50 100 ns  
输出下降时间 t1 - 50 100 ns  

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