图2：USB2.0高速(480Mbps)应用结构示意图。
以带ID线路的图2 a)为例，应用中需要以电容小于1 pF、小封装的器件保护3条极高速数据线路(D+、D-和ID)及1条大功率线路(Vbus)。针对这样的保护需求，既可以采用分立保护方案，如使用3颗ESD9L加1颗ESD9X，也可以采用集成保护方案，如1颗NUP3115UP或NUP4114UP(有1条线路未连接)。
而在图2 b)的应用中，需要以电容小于1 pF、小封装的器件保护2条极高速数据线路及1条大功率线路(Vbus)。针对这样的保护需求，同样既可以采用分立保护方案，如使用2颗ESD9L加1颗ESD9X、1颗ESD7L加1颗ESD9X或1颗ESD11L加1颗ESD9X，也可以使用集成保护方案，如1颗NUP2114UP或1颗NUP4114UP(保护2个USB端口)。
总结：
手机、数码相机等便携产品中的众多位置可能遭受ESD脉冲的影响并损坏其中特征尺寸越来越小、越来越敏感的集成电路，进而影响系统的可靠性。最有效的ESD保护方法是在便携设备的连接器或端口处放置外部保护元件。测试表明，硅TVS二极管比聚合物和压敏电阻等无源元件的钳位性能更优异，而安森美半导体的硅保护元件更是优于性能最接近的竞争器件。安森美半导体身为全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商，为便携设备的大功率、高速和极高速应用领域提供丰富的高性能硅保护元件系列，其中不少都是当今业界的领先产品。这些领先产品以极小的封装提供极低的电容和极低钳位电压，非常适合保护USB 2.0高速及HDMI等极高速应用。同时，客户得益于安森美半导体丰富的硅保护元件系列，能够为其USB 2.0高速等应用灵活地选择及搭配安森美半导体的硅保护元件，满足他们的不同应用需求。
，高性能的便携应用ESD保护方案