图6 DEGLITCH消除时钟毛刺干扰
2.Slew Rate控制技术
SIM 卡接口的信号线SRST 和SCLK 都做了Slew RATE 控制，通过控制SRST 和SCLK 的上升下降沿的变化速率，从而减小了对阻抗匹配的要求。如果PCB 走线的特征阻抗与 负载阻抗不匹配时，信号到达接收端后有一部分能量将沿着传输线反射回去，使信号波 形发生畸变，甚至出现信号的过冲和下冲。有了Slew Rate 控制后，即使SIM 卡离芯片 的距离比较远，也不易造成对SIM 卡的误操作，如下图所示：
图7 SLEW RATE控制作用示意图
3.双向IO动态上拉技术
双向IO 口支持Open Drain，低电平到高电平的翻转依靠一个上拉电阻实现，AW63X2 的动态上来技术会加速双向IO 口低电平到高电平的翻转过程，缩短信号的上升时间， 减少信号沿变化时受干扰的概率。当双向IO 的电压上升到高于0.8V 时，将启动上拉功 能，如下图所示：
图8 动态上拉IO作用示意图
4.完善的故障保护机制
SIM 卡在插拔过程中容易引起短路，完善的故障保护机制能够避免短路导致的芯片 损坏，AW63X2 系列产品内置的高性能的LDO 都具备完善的过流保护功能，即便SIM 卡电 源被长时间接地，或者任意的SRST、SCLK 被短路或者连接到地，也不会造成芯片的损 坏，并且故障去除后能迅速恢复正常工作。另外，SIM 卡接口直接与外界接触，非常容 易受到静电的冲击。AW63X2 的所有引脚都通过了±8KV 的HBM ESD 测试和±450mA 的 Latch-up 测试，大大提高了系统的可靠性。
手机设计人员在应用AW63X2 系列芯片进行PCB layout 设计时要注意：
1.芯片的外部电容要尽量靠近芯片引脚，推荐使用0402 的X5R 陶瓷电容。
2.AW6302、AW6322、AW6332 采用的都是20 引脚的QFN3mmX3mm 封装，芯片底部裸露 的焊盘为GND，要直接连到PCB 板的地层上。
3.时钟和数据线推荐用中间层走线，VBAT 引脚最好单独用一根短而粗的电源线。
4.接口模块在PCB 的位置应远离射频电路，尽可能靠近SIM 卡座。
总结
在2G 向3G 过渡的阶段，多种网络制式并存的现状成为必然，双模双待手机为2G 向3G 平滑过渡提供了一个平台。艾为电子的AW6322、AW6332 SIM 卡接口芯片能够为客 户提供高品质、高可靠性的双模双待单芯片解决方案，满足客户不同的需求：
1.AW6322 适合以GSM 为主的双模双待手机方案。
2.AW6332 适合以CDMA 或者3G 为主的双模双待方案。
，双模双待SIM卡驱动单芯片解决方案